Передовые плазменные технологии

События
Компания Интек при поддержке специалистов Oxford Instruments Plasma Technology завершили пуско-наладку и технологические испытания установок Plasmalab на площадке лабораторного комплекса ООО «НТЦ ТПТ».
Новая установка PlasmaPro Estrelas100 глубокого травления кремния позволяет реализовать как Бош процесс, так и процесс криогенного травления.

Оборудование MEMS Star

Установки сухого изотропного травления и сухого осаждения компании Mems Star предназначены для травления жертвенных слоёв, «освобождающего» травления и осаждения антифрикционных покрытий и покрытий, предотвращающих слипание элементов в производстве MEMS. Установки предназначены для индивидуальной или кассетной обработки подложек диаметром 50-200 мм.
Установки предлагаются в различных одно платформенных сериях:
MINI – компактная установка (размер 500х540х900 мм) для небольших лабораторий.
SOLO – установка без шлюза для исследовательских работ.
SENTRY – установка увеличенной производительности со шлюзовой камерой. Серия предназначена для исследовательских работ и мелкосерийного производства.
MULTI – установки с роботом-перегрузчиком и кассетной станцией. Серия предназначена для организации производства с высокой производительностью. Установки серии могут также интегрироваться в единый комплекс с установками производства Oxford Instruments Plasma Technology, что существенно расширяет возможности по оптимизации технологического процесса.
В зависимости от процесса, установка комплектуется одним из специализированных вариантов рабочей камеры и системы подачи реагентного газа.
Изотропное травление SiO2 селективно к Si: процесс в парах HF с основной реакцией 2HF + SiO2 → SiF4 + 4H2O. Травление можно проводить для нелегированных слоев оксида, полученных термическим способом или методом PECVD. Для проведения реакции необходим катализатор, которым являются пары воды. Для осуществления контролируемой реакции в камере осуществляется точный контроль давления в начале и во время процесса травления.
Изотропное травление Si к SiO2, Si3N4: процесс в парах XeF2 с реакцией 2 XeF2 + Si → 2 Xe + SiF4. В отсутствие ионной бомбардировки, оксиды и нитриды кремния оказываются устойчивыми к травлению радикалами фтора, что обеспечивает высокую селективность травления кремния. Процесс допускает травление кристаллического, поликристаллического и аморфного кремния, германия, молибдена, тантала и т.п. XeF2 является твердым кристаллическим соединением с низким давлением насыщенных паров. В установках MEMS Star используется технология непрерывной, контролируемой подачи паров XeF2 с использованием газа-носителя. Данное решение обеспечивает широкое технологическое окно, воспроизводимость и контролируемость процесса травления.

Новости
AdTech Photonics выбрала установки PlasmaPro 100 для производства лазерных линеек инфракрасного диапазона
Oxford Instruments Plasma Technology выполняет поставку своих установок для производителя вертикально излучающих лазеров Sino-semic