Передовые плазменные технологии

События
Компания Интек при поддержке специалистов Oxford Instruments Plasma Technology завершили пуско-наладку и технологические испытания установок Plasmalab на площадке лабораторного комплекса ООО «НТЦ ТПТ».
Новая установка PlasmaPro Estrelas100 глубокого травления кремния позволяет реализовать как Бош процесс, так и процесс криогенного травления.

Nanofab

Системы Nanofab700 и Nanofab800Agile позволяют выращивать нанотрубки и нанопровода с высокой скоростью роста и прецизионным контролем условий роста. Системы созданы на основе серии Plasmalab System 100. Основным достоинством серии Nanofab является использование теплостойких материалов c низкой теплоемкостью, устойчивых к температурным перепадам. Скорость нагрева подложкодержателя установки Nonofab 800 Agile достигают 130 °С/мин. Столь высокий показатель достигнут благодаря использованию специально сконструированного элемента нагревателя на базе PBN технологии.

Системы серии Nanofab позволяют проводить процессы формирования островов роста и плазменной активации катализаторов роста нанотрубок.

Контроль скорости роста, направленния роста и диаметра нанотрубок достигается одновременным варьированием температуры электрода, частоты возбуждения плазмы и мощности, вкладываемой в разряд. 

Системы серии Nanofab поддерживают стандартные процессы PECVD осаждения аморфного кремния и оксидов, нитридов кремния.

Основной модуль установки Nanofab полностью совместим по стандарту MESC. Поэтому модули Nanofab могут использоваться в кластерной системе серии System 100 Pro или других кластерных системах совместимых со стандартом MESC.

Конфигурации Nanofab для осаждения

 

Nanofab 700

Nanofab 800 Agile

Загрузка

шлюз

шлюз

Подложки

до 200 мм

до 200 мм

Возбуждение плазмы

ВЧ/НЧ опция

ВЧ/НЧ опция

Совместимость со стандартными PECVD процессами

да, при заказе соответствующих линий подачи газов

да, при заказе соответствующих линий подачи газов

Подача жидких прекурсоров

опция

опция

Диапазон температур подложки

+100-+650 0С

+200-+800 0С

Скорость нагрева подложкодержателя

до 15 0С/мин

до 130 0С/мин

Неоднородность температуры по подложке 200 мм

+/-3 °C

+/-5 °C

Совместимость с процессами в O2

до 650 0С

до 400 0С

Линий газоподачи с РРГ

до 8 (12)

до 8 (12)

Плазменная очистка камеры

опция

опция

Вакуумная система

насос Рутса/ТМН опция

насос Рутса/ТМН опция

Управление

PC2000

PC2000

Система оснащается столиком-подложкодержателем диаметром 240 мм, на котором могут быть размещены одна или несколько подложек диаметром от 50 мм до 200 мм.

размер подложки

максимальная загрузка

50 мм/ 2"

9 шт

75 мм/ 3"

4 шт

 100 мм/ 4"

2 шт

 150 мм/ 5"

1 шт

 200 мм/ 6"

1 шт

Практическая загрузка может быть меньше приведенной максимальной и определяется спецификацией конкретного процесса и требованиями однородности обработки.

Дополнительные сведения

Буклет на англ. языке

Буклет по оборудованию на рус. языке

Спецификации некоторых процессов на рост нанотрубок

Осаждение углеродных нанотрубок
Осаждение кремниевых нанопроводов
Осаждение наноструктур ZnO

Новости
AdTech Photonics выбрала установки PlasmaPro 100 для производства лазерных линеек инфракрасного диапазона
Oxford Instruments Plasma Technology выполняет поставку своих установок для производителя вертикально излучающих лазеров Sino-semic